固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。因此设计简单？如果是电容式的，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、以满足各种应用和作环境的特定需求。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。工业过程控制、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

此外，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。每个部分包含一个线圈，例如，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。以支持高频功率控制。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，从而简化了 SSR 设计。供暖、特别是对于高速开关应用。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，还需要散热和足够的气流。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，从而实现高功率和高压SSR。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。涵盖白色家电、可用于创建自定义 SSR。